電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場，特別是對于許多驅...電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場，特別是對于許多驅動直流電機的拓撲結構來說。在此，我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅動有刷、...
KNX3320A參數 MOS管200V90A特性 專用的新平面技術 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=1...KNX3320A參數 MOS管200V90A特性 專用的新平面技術 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關損耗最小化
MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據溫度、時間...MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據溫度、時間和環境變化而自動調節。 在能量采集、辦公自動化和備份系統等一系列新產品設計中，...
當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加...當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
