MOS管就像開(kāi)關(guān)。柵極(G)決定源極(S)到漏極(D)是通還是不通。以NMOS為例，圖1中...MOS管就像開(kāi)關(guān)。柵極(G)決定源極(S)到漏極(D)是通還是不通。以NMOS為例，圖1中綠色代表（N型）富電子區(qū)域，黃色代表（P型）富空穴區(qū)域。P型和N型交界處會(huì)有一層耗...
MOS管KND3502A 70A20V產(chǎn)品概述 KNX3502A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS(O...MOS管KND3502A 70A20V產(chǎn)品概述 KNX3502A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V。該設(shè)備適用于多種應(yīng)用。 MOS管KND3502A 70A20V...
為了消除基本OCL電路所產(chǎn)生交越失真，應(yīng)當(dāng)設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，使兩只放大晶...為了消除基本OCL電路所產(chǎn)生交越失真，應(yīng)當(dāng)設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，使兩只放大晶體三極管均工作在臨界導(dǎo)通或微導(dǎo)通狀態(tài)。能夠消除交越失真的OCL電路如圖1所示。
驅(qū)動(dòng)電路性能不好，輕則使GTR不能正常工作，重則導(dǎo)致GTR損壞。其特性是決定電流...驅(qū)動(dòng)電路性能不好，輕則使GTR不能正常工作，重則導(dǎo)致GTR損壞。其特性是決定電流上升率和動(dòng)態(tài)飽和壓降大小的重要因素之一。增加基極驅(qū)動(dòng)電流使電流上升率增大，使G...
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和...一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。
