KCY3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)...KCY3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進(jìn)的工藝和電池結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)特別定制，最大限度地降低導(dǎo)...
如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見(jiàn)的PCM方案，...如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見(jiàn)的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET...
施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間施加正向電壓時(shí)，晶閘管并不會(huì)立即導(dǎo)通...施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間施加正向電壓時(shí)，晶閘管并不會(huì)立即導(dǎo)通。 觸發(fā)信號(hào)注入：此時(shí)，需要在門(mén)極和陰極之間注入一個(gè)正向觸發(fā)脈沖信號(hào)。 晶閘管...
KNF6140S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導(dǎo)電損失；具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩...
它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時(shí)，UJT開(kāi)啟。這會(huì)在發(fā)...它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時(shí)，UJT開(kāi)啟。這會(huì)在發(fā)射極–基極1結(jié)上放置一個(gè)低電阻，并且發(fā)射極電流流過(guò)脈沖變壓器的初級(jí)，將柵極信號(hào)...
