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場效應管1000v 13a 64100A引腳圖 mos管參數-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-28 

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場效應管1000v 13a 64100A引腳圖 mos管參數-KIA MOS管


KNX64100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V,漏極電流最大值為13A;RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗,低反向傳輸電容,開關速度快等優點,適用于DC-DC轉換,電機控制等。封裝形式:TO-247;腳位排列位GDS。


場效應管1000v 13a 64100A-特點

快速切換

RDS(ON),典型=0.85Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管


場效應管1000v 13a 64100A-應用

DC-DC轉換器

直流斬波器

交流電機控制



場效應管1000v 13a 64100A-封裝圖

場效應管1000v 64100A

場效應管1000v 13a 64100A-參數

場效應管1000v 64100A

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KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業,竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發創新,為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。

場效應管1000v 64100A


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