120VMOS管，3112參數-產品特性：采用CRM(CQ)先進的溝槽技術，極低通阻RDS(on)，...120VMOS管，3112參數-產品特性：采用CRM(CQ)先進的溝槽技術，極低通阻RDS(on)，符合JEDEC標準，RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V
IGBT特性曲線解讀-通態特性，通態壓降：隨著IGBT器件技術的發展,IGBT的通態壓降...IGBT特性曲線解讀-通態特性，通態壓降：隨著IGBT器件技術的發展,IGBT的通態壓降越來越小，從而使其電流密度越來越高。但是注意，器件給出的通態飽和壓降是有一定條...
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穩壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。穩壓二極管可以串聯起來以...穩壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。穩壓二極管可以串聯起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯就可獲得更多的穩定電壓。穩壓二極管起電壓調節作用...
傳輸管TG原理及組合邏輯延時：MOS，即場效應管，四端器件，S、D、G、B四個端口...傳輸管TG原理及組合邏輯延時：MOS，即場效應管，四端器件，S、D、G、B四個端口可以實現開和關的邏輯狀態，進而實現基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性：...
MOS管開關電流電路延遲線：開關電流技術是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、...MOS管開關電流電路延遲線：開關電流技術是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術。與已成熟的開關電容技術相比，開關電流技術不需要線性電容和高性能...
