國產MOS管KNX3308A和HY1906兩個產品的主要參數、封裝、應用領域等產品信息詳細...國產MOS管KNX3308A和HY1906兩個產品的主要參數、封裝、應用領域等產品信息詳細介紹。KIA半導體是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端...
場效應管的直流參數 1.夾斷電壓Up 在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個...場效應管的直流參數 1.夾斷電壓Up 在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結型場效應管及耗盡...
KNX3508A參數80V70A產品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩測...KNX3508A參數80V70A產品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
一、符號“Q、VI”，場效應管簡稱FET,是一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出...一、符號“Q、VI”，場效應管簡稱FET,是一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出電流的，是電壓控制器件。 場效應管分三個極: D極為漏極(供電極) S極為源極(輸出...
場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經常作為多級放大電流的輸入級,與三...場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應管放電電路分為共源、公漏、共...
KNX1906B 60V230A產品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供無鉛和綠色設...KNX1906B 60V230A產品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供無鉛和綠色設備 高雪崩電流
