下面以圖10中電機(jī)控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機(jī)控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控制電路中，上管導(dǎo)通時(shí)，VDD通過(guò)Q1、Q4對(duì)電機(jī)進(jìn)行勵(lì)磁；上管關(guān)斷時(shí)，電機(jī)通過(guò)Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指開關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOSFET損壞。
dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)...dv/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短...
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該...雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動(dòng)之后，輸...下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動(dòng)之后，輸出低電壓：
作為放大器，其最重要的功能就是在大信號(hào)的支持下且保證一定精度時(shí)強(qiáng)調(diào)對(duì)小信號(hào)...作為放大器，其最重要的功能就是在大信號(hào)的支持下且保證一定精度時(shí)強(qiáng)調(diào)對(duì)小信號(hào)的增益。本文介紹一個(gè)公式（未必完全通用，但一定滿足本文介紹的四種放大器）并加以...
