即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進的P溝道工藝的一個堅固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅(qū)動電壓的電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS）...LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個...
在電路設(shè)計時我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。...在電路設(shè)計時我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。這兩個概念到底是什么呢？下文給你帶來詳細介紹。 開漏（opendrain）介紹 開漏電...
開關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關(guān)閉的器件...開關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開和關(guān)閉的器件產(chǎn)生的功耗。如圖一的顯示兩種開關(guān)電源控制芯片內(nèi)部架構(gòu)，以BUCK的方式為例。
圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的...圖中電池的正電通過開關(guān)S1接到場效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過，3v穩(wěn)壓I...
