在電路設計中，常見到利用 MOS 電容做去耦電容（也有利用來做miller補償的電容...在電路設計中，常見到利用 MOS 電容做去耦電容（也有利用來做miller補償的電容），因此對 mosfet 的 c-v 特性曲線有必要進行確認。關于具體的 c-v 曲線的仿真方法...
50A60V內阻低 MOS管KIA50N06產品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色...50A60V內阻低 MOS管KIA50N06產品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色設備 低Rds開啟，可將傳導損耗降至最低 高雪崩電流
柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當MOSFET開...柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當MOSFET開關時，電源IC的柵極驅動器向MOSFET的寄生電容充電（向柵極注入電荷）而產生這種損耗...
KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優...KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可...
電平轉換在電路設計中非常常見，因為做電路設計很多時候就像在搭積木，這個電路...電平轉換在電路設計中非常常見，因為做電路設計很多時候就像在搭積木，這個電路模塊，加上那個電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個電子產品了。而各電路模塊間經常會...
MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路...MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而...
