半導(dǎo)體分立器件有哪些,分類介紹-KIA MOS管

分立器件

分立器件按功能劃分為二極管、三極管、場效應(yīng)管和晶閘管等類型。最新研究顯示，其分類已拓展至材料維度，包含硅基、鍺基及化合物半導(dǎo)體器件。在結(jié)構(gòu)維度上，涵蓋PN結(jié)二極管、雙極型晶體管和MOSFET等多種形式，其中硅基MOSFET因兼具大功率與高頻特性成為主流應(yīng)用 。分立器件廣泛應(yīng)用于整流、信號(hào)放大和電力控制等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體分立器件有哪些？

常見的半導(dǎo)體分立器件包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管、IGB等。這些器件的主要制造材料包括硅、鍺、碳等半導(dǎo)體元素，第一代和第二代半導(dǎo)體是硅基材料，第三代儀碳化硅和氮化鎵為代表，主要用于制造二極管、MOS管、IGBT等。

二極管

二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器件，具有陽極和陰極兩個(gè)電極。根據(jù)材料，二極管可以分為硅二極管和鍺二極管。二極管在電路中可以起到整流、檢波、開關(guān)等作用。二極管種類很多，包括穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)二極管、光敏二極管等。

三極管

三極管是一種具有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件，基極、集電極和發(fā)射極。三極管可以通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流，從而實(shí)現(xiàn)放大信號(hào)的作用。三極管在電路中可以起到放大、開關(guān)、振蕩等作用。

場效應(yīng)管

場效應(yīng)管是一種通過電場效應(yīng)控制電流的半導(dǎo)體器件，有源極、柵極和漏極三個(gè)電極。場效應(yīng)管具有高輸入阻抗、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因此在高速、低功耗的電路中得到廣泛應(yīng)用。

可控硅

可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管，是一種具有可控導(dǎo)通能力的半導(dǎo)體器件，它包括陽極、陰極和門極三個(gè)電極。晶閘管可以在控制信號(hào)的作用下實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和關(guān)斷，因此廣泛應(yīng)用于電力電子、控制等領(lǐng)域。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。單向可控硅也就是我們通常所說的晶閘管，雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/span>

IGBT

IGBT，中文全稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。IGBT與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)（CPU）一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，能控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平。

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